光控晶闸是通过光信号控制晶闸管触发导通的器件,它具有很强的抗干扰能力、良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力,因而被应用于高压直流输电(HVDC)、静止无功功率补偿(SVC)等领域。其研制水平大约为8000V/3600A。逆变晶闸因具有较短的关断时间(10~15s)而主要用于中频感应加热。在逆变电路中,它已让位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范围之内。非对称晶闸是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。而逆导晶闸管不过是非对称晶闸管的一种特例,是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。与普通晶闸管相比,它具有关断时间短、正向压降小、额定结温高、高温特性好等优点,主要用于逆变器和整流器中。目前,国内有厂家生产3000V/900A的非对称晶闸管。
本实用新型涉及变流技术领域,尤其涉及一种igbt模块。背景技术:目前,国外标准型的igbt模块是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与fwd(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上;igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点,随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上越来越多见。然而,这种igbt模块的成本较高,严重制约了国内变流技术领域的发展。为了解决国外标准型igbt模块成本较高的问题,目前国内出现了一种将igbt单管并联后形成igbt模块的方案,这种igbt模块与国外相同技术参数规格下的标准型igbt模块相比,成本要低15%~20%,进而能够促进国内变流技术领域的发展;但是,这种igbt模块中的各igbt单管一般由螺钉固定在安装板上,这就**降低了igbt模块的生产效率。技术实现要素:有鉴于此,本实用新型实施例提供一种igbt模块,能够提高igbt模块的生产效率。本实用新型实施例提供一种igbt模块,包括安装板、以及布置在所述安装板上侧的igbt单管,所述安装板上还连接有具有弹性的压紧件,所述压紧件将所述igbt单管抵压在所述安装板上。可选的。
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