[VIP第1年] 指数:3
本发明属于集成电路领域与光电领域，涉及一种基于负电源电压对雪崩光电二极管的偏置电压进行调节的电路。背景技术：单光子探测技术是近年来刚刚发展起来的一种基于单光子的新式探测技术，它可以实现对极微弱光信号的检测。在目前所用的光电探测器中，具有单光子探测能力的探测器主要有两种，即光电倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光电二极管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光电二极管apd(以下简称apd)在红外波段具有功耗低、体积小、工作频谱范围大、工作电压低等优点，因此被广泛应用。雪崩光电二极管apd探测器根据其偏置电压的不同，可分为线性和盖革两种工作模式。工作在盖革模式下的雪崩光电二极管apd被称为单光子雪崩二极管，具有单光子探测能力，东莞发光二极管代理商，被广泛应用于单光子探测技术。单光子探测技术可被用于光子测距、**、荧光寿命测量等各方面。随着对探测器分辨率要求的提高，单光子探测技术正在向集成大阵列方向发展，阵列探测的一致性成为重要指标。apd阵列的灵敏度与偏压相关，但是由于apd阵列存在雪崩击穿电压不均匀分布的问题，东莞发光二极管代理商，东莞发光二极管代理商，因此比较高偏压被阵列中比较低击穿电压的像素所限制，apd阵列中将有大量像素处在偏压不足的状态。华强北乐山正规代理商。东莞发光二极管代理商
并发送给该微控制器15；该微控制器15控制并获取该发光二极管11的电流值，该驱动板12依据该电流值驱动该发光二极管11；该微控制器15依据该良好温度值和该良好压差值，调用预存储的良好校准数据表进行良好对比，依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后，获取第二压差值，良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表；图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图，如图2所示，发光二极管的正向压降是随温度变化而改变的曲线，是大小偏移的曲线，且该发光二极管11的正向压降的偏移量与工作温度呈负相关，例如，该良好压差值可以依据该正向压降的曲线进行校准，调整为第二压差值，该发光二极管11出厂前，对可以进行长时间的工作测试，例如，进行500小时的工作测试，该微控制器15记录发光二极管正常工作在不同温度下的正向压降，，依据该正向压降的偏移量生成该良好校准数据表，该良好校准数据表用于对该良好压差值进行校准，生成该第二压差值。该微控制器15依据该第二压差值和该电流值，调用预存储的第二校准数据表进行第二对比，第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下。汕头品牌二极管专卖店捷捷微开关二极管原装现货。
十六pmos管m7的漏极连接十七pmos管m8的源极；十八pmos管m9的栅极作为一运算放大器op1的正相输入端，其源极连接十九pmos管m10的源极和十三pmos管m4的漏极，其漏极连接一nmos管m11的源极和三nmos管m13的漏极；十九pmos管m10的栅极作为一运算放大器op1的反相输入端，其漏极连接二nmos管m12的源极和四nmos管m14的漏极；三nmos管m13的栅极连接四nmos管m14的栅极以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏极；二nmos管m12的栅极连接一nmos管m11的栅极以及一偏置电压vb，其漏极连接十七pmos管m8的漏极并作为一运算放大器op1的输出端。本实施例使用的折叠式共源共栅运放包括电流镜和折叠式共源共栅运放两部分，五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17和八nmos管m18构成电流镜结构用于镜像基准电流iref，十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8和四电阻r0构成一个自偏置cascode电流镜，十二pmos管m3、十三pmos管m4是运放的尾电流源，十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8作为所述运放的电流源负载，一偏置电压vb为外部给定，用于使一nmos管m11、二nmos管m12工作在饱和区。
eml240包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂242和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂244。在形成有有机发光层290的基板310上方形成有第二电极230。第二电极230覆盖显示区的整个表面，并且可以由具有相对低的功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极230可以由铝(al)、镁(mg)或al-mg合金形成。由于来自有机发光层290的光穿过第二电极230入射到滤色器层380，因此第二电极230具有薄的外观，使得光穿过第二电极230。电极220、有机发光层290和第二电极230构成oledd2。滤色器层380被定位在oledd2上或在oledd2上方，并且包括分别对应于红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的红色滤色器图案382、绿色滤色器图案384和蓝色滤色器图案386。尽管未示出，但是滤色器层380可以通过粘合层附接至oledd2。或者，滤色器层380可以直接形成在oledd2上。此外，可以形成封装膜以覆盖oledd2从而防止水分渗入oledd2中。例如，封装膜可以包括顺序堆叠的无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但是不限于此。封装膜可以省略。此外，可以在第二基板370的外侧布置用于减少环境光反射的偏光板。例如，偏光板可以为圆形偏光板。偏光板可以省略。在图6中，来自oledd2的光被设置成穿过第二电极230。捷捷微二极管一级代理商。
五pmos管mp5的栅极连接一电流镜单元的输出端和二电流镜单元的输出端并通过三电阻r3后连接负电源电压vne，其漏极连接负电源电压vne，其源极输出浮动地电压作为雪崩光电二极管的偏置电压。浮动地电压连接复位管gn的源极，复位管gn的漏极连接淬灭管gp的源极和雪崩光电二极管的的阳极。一电流镜单元用于将流过一pmos管mp1的电流按比例镜像，实施例中提出一种比例电流镜结构，能够步进调节镜像的电流比例，如图1所示，一电流镜单元包括一开关s1、二开关s2、三开关s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4；六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8的栅极均连接一pmos管mp1的栅极，其源极均连接电源电压，其漏极分别通过一开关s1、二开关s2和三开关s3后连接一电流镜单元的输出端。本实施例中一电流镜单元中六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分别与一pmos管mp1构成电流镜结构，且由于一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4，因此六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分别能够按照1:1、1:2、1:4的比例镜像一pmos管mp1的电流，结合对一开关s1、二开关s2、三开关s3的控制。强茂二极管原装现货。珠海进口二极管公司
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在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且形成切换tft以与栅极线和数据线连接。切换tft与作为驱动元件的tfttr连接。此外，还可以形成电力线，所述电力线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并间隔开；和用于在一帧中保持tfttr的栅极电极的电压的存储电容器。形成有钝化层350以覆盖tfttr，钝化层350包括暴露tfttr的漏电极342的漏极接触孔352。在各像素中单独形成有电极220，电极220通过漏极接触孔352与tfttr的漏电极342连接。电极220可以为阳极，并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，电极220可以由透明导电材料例如ito或izo形成。可以在电极220下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。在钝化层350上形成有堤层360以覆盖电极220的边缘。即，堤层360被定位在像素的边界并且暴露像素中的电极220的中心。堤层360可以省略。在电极220上形成有有机发光层290。参照图5，有机发光层290包括发光部分250，发光部分250包括有eml240；和第二发光部分270，第二发光部分270包括有第二eml260。例如。东莞发光二极管代理商
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