发光部分530、cgl580、第二发光部分550、第二cgl590和第三发光部分570顺序堆叠在电极510上。换言之,发光部分530被定位在电极510与cgl580之间,第二发光部分550被定位在cgl580与第二cgl590之间。此外,第三发光部分570被定位在第二电极512与第二cgl590之间。发光部分530可以包括顺序堆叠在电极510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即,hil532和htl534被定位在电极510与eml520之间,hil532被定位在电极510与htl534之间。此外,etl536被定位在eml520与cgl580之间。eml520包含延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524。延迟荧光掺杂剂522具有发射波长范围,磷光掺杂剂524具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大),上海进口二极管哪家公司好。例如,上海进口二极管哪家公司好,上海进口二极管哪家公司好,发射波长范围可以为绿色波长范围,第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂522可以由式1或式3表示,磷光掺杂剂524可以由式5表示。磷光掺杂剂524相对于延迟荧光掺杂剂522的重量百分比等于或小于约5%。例如,磷光掺杂剂524相对于延迟荧光掺杂剂522的重量百分比可以在约%至%,推荐地约%至%的范围内。尽管未示出,但是eml520还可以包含基质。基质可以在eml520中具有约50%至80%的重量百分比。深圳强茂二极管代理商公司。上海进口二极管哪家公司好
由第二发光部分450提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此,包括第二发光部分450、包含蓝色掺杂剂422的发光部分430和包含第二蓝色掺杂剂462的第三发光部分470的oledd3发射白色光。此外,由于发光部分430和第三发光部分470分别包括分别包含蓝色掺杂剂422和第二蓝色掺杂剂462的eml420和第三eml460,因此oledd3的色温得到改善。图8是根据本公开内容的第四实施方案的oled的示意性截面图。如图8所示,oledd4包括电极510、第二电极512、在电极510与第二电极512之间的有机发光层514。有机发光层514包括:发光部分530,发光部分530包括eml520;第二发光部分550,第二发光部分550包括第二eml540;和第三发光部分570,第三发光部分570包括第三eml560;在发光部分530与第二发光部分550之间的cgl580;以及在第二发光部分550与第三发光部分570之间的第二cgl590。电极510为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。第二电极512为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl580和第二cgl590分别被定位在发光部分530与第二发光部分550之间和第二发光部分550与第三发光部分570之间。即。揭阳整流二极管稳压强茂车规级二极管原装现货。
其漏极连接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的栅极以及四电阻的一端;七nmos管的漏极连接五nmos管的源极,其源极连接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源极并接地;十pmos管的栅极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的栅极、十一pmos管的漏极和四电阻的另一端,其源极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源极并连接电源电压,其漏极连接十一pmos管的源极;十二pmos管的漏极连接十三pmos管的源极,十四pmos管的漏极连接十五pmos管的源极,十六pmos管的漏极连接十七pmos管的源极;十八pmos管的栅极作为所述一运算放大器的正相输入端,其源极连接十九pmos管的源极和十三pmos管的漏极,其漏极连接一nmos管的源极和三nmos管的漏极;十九pmos管的栅极作为所述一运算放大器的反相输入端,其漏极连接二nmos管的源极和四nmos管的漏极;三nmos管的栅极连接四nmos管的栅极以及十五pmos管和一nmos管的漏极;二nmos管的栅极连接一nmos管的栅极以及一偏置电压,其漏极连接十七pmos管的漏极并作为所述一运算放大器的输出端。本发明的有益效果为:本发明提出的雪崩光电二极管偏压调节电路利用运放在像素外构建偏置电压产生电路。
图5为根据本公开内容的第二实施方案的oled的示意性截面图。如图5所示,oledd2包括电极220、第二电极230、在电极220与第二电极230之间的有机发光层290。有机发光层290包括发光部分250,其包括eml240;第二发光部分270,其包括第二eml260;和在发光部分250与第二发光部分270之间的电荷生成层(cgl)280。电极220为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。第二电极230为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl280被定位在发光部分250与第二发光部分270之间。即,发光部分250、cgl280和第二发光部分270顺序堆叠在电极220上。换言之,发光部分250被定位在电极220与cgl280之间,以及第二发光部分270被定位在第二电极230与cgl280之间。发光部分250可以包括顺序堆叠在电极220上的hil252、htl254、eml240和etl256。即,hil252和htl254被定位在电极220与eml240之间。hil252被定位在电极220与htl254之间,以及htl254被定位在hil252与eml240之间。此外,etl256被定位在eml240与cgl280之间。eml240包含延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244。延迟荧光掺杂剂242具有发射波长范围。乐山二极管一级代理商。
阵列探测器的性能受到严重影响,制约其阵列规模。目前,可通过调节apd偏置电压的方法来提高阵列探测器性能的均匀性。传统方案采用dac(digitaltoanalogconverter,数模转换器)和ldo(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)结构相结合的调节方式来调节apd的偏置电压,即dac产生同时调节数个像素的基准电压作为ldo中误差放大器的输入,随后ldo结构根据dac提供的基准电压来实现apd偏置电压的调节。但是这种调节方式中ldo面积大且不能实现单个像素的调节,此外ldo有限的带宽较难实现apd快速充放电过程中的电压稳定性。技术实现要素:针对传统apd偏置电压调节方式中存在的面积大、不能实现单个像素的调节、电压稳定性不高等不足之处,本发明提出一种调节雪崩光电二极管apd偏置电压的方法,基于负压进行调节,扩大了apd偏置电压的调节范围,且能够实现逐像素可调的apd充电置位电压,有利于提升apd阵列的探测灵敏度,且具有面积小、响应速度快、电压准确度高等优点。本发明的技术方案为:基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路,包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块。强茂二极管原厂渠道。广州肖特基 二极管企业
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在这种情况下,半导体层可以包含非晶硅。尽管未示出,但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域,并且形成切换tft以与栅极线和数据线连接。切换tft与作为驱动元件的tfttr连接。此外,还可以形成电力线,所述电力线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并间隔开;和用于在一帧中保持tfttr的栅极电极的电压的存储电容器。形成有钝化层350以覆盖tfttr,钝化层350包括暴露tfttr的漏电极342的漏极接触孔352。在各像素中单独形成有电极220,电极220通过漏极接触孔352与tfttr的漏电极342连接。电极220可以为阳极,并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如,电极220可以由透明导电材料例如ito或izo形成。可以在电极220下方形成反射电极或反射层。例如,反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。在钝化层350上形成有堤层360以覆盖电极220的边缘。即,堤层360被定位在像素的边界并且暴露像素中的电极220的中心。堤层360可以省略。在电极220上形成有有机发光层290。参照图5,有机发光层290包括发光部分250,发光部分250包括有eml240;和第二发光部分270,第二发光部分270包括有第二eml260。例如。上海进口二极管哪家公司好
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