东莞霍尔开关品牌企业 华芯霍尔元件厂家供应

霍尔开关时使用注意事项（下）  

6.由于机械应力会造成霍尔器件磁敏感度的漂移，在使用安装中应尽量减少施加到器件外壳和引线上的机械力，如管脚需要弯曲，请在距引线根部3mm以外操作。；7.将导线平行焊接在霍尔器件的引脚上，焊接时不能掰动霍尔器件引脚。；8.建议焊接温度：电烙铁焊接，建议温度在350℃，**长5秒；波峰焊：建议比较高温度260℃，**长3秒；红外回流焊：建议比较高245℃，**长10秒。；9.焊点不得有毛刺，以避免将热缩管刺破而导致短路烧坏霍尔器件。；10.热缩管必须套在霍尔器件的引脚根部，保证器件充分绝缘，比较好在热缩管及引线的下面再铺一层绝缘纸。 华芯是质量的霍尔元件供应厂家，东莞霍尔开关品牌企业,长期供应霍尔元件产品，东莞霍尔开关品牌企业，东莞霍尔开关品牌企业,种类齐全,十六年专业品质,我们只做质量霍尔!东莞霍尔开关品牌企业

霍尔线性器件

线性霍尔元件是一种模拟信号输出的磁传感器，输出电压随输入的磁力密度线性变化。

线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确追寻磁通密度的变化。在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。相反，增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。

线性霍尔器件广泛应用需要模拟量输出的应用环境。如：汽车油门踏板，电动车油门，游戏手柄，液位计等等。 东莞霍尔开关品牌企业华芯16年专业做线性霍尔元件量大从优!霍尔元件抗应力,无抖动,一致性好,可替代进口产品。

霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。

半导体中电子迁移率（电子定向运动的平均速度）比空穴迁移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件霍尔元件。

常用的半导体材料N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固溶体等。

其中N型锗容易加工，其霍尔常数、温度性能、输出线性都较好，应用非常普遍锑化铟元件由于在高温时霍尔常数大，所以输出较大，但对温度**敏感，尤其在低温范围内温度系数大；砷化铟的霍尔常数较小，温度系数也较小，输出线性好；砷化镓的温度特性和输出线性好，是较理想的材料，但价格较贵。不同材料适用于不同场合，锑化铟适用于作为敏感元件，锗和砷化铟霍尔元件适用于测量指示仪表。

霍尔元件在行车记录仪四中的应用：

行车记录仪是一种记录车辆在行驶过程中的图像和声音的仪器。行车记录仪安装好后，可以记录车辆行驶全过程的视频图像和声音，为交通意外提供充分的证据。

行车记录仪霍尔传感器主要起行车记录仪的速度检测功能。行车记录仪霍尔传感器一般采用全极霍尔传感器。交通记录仪霍尔传感器的应用范围很广，不同类型的温度会有所不同。行车记录仪的霍尔传感器也会有所不同，类型选择也比较普遍。一般使用全极微功耗的霍尔元件，如如HX6383，HX6382,HX6363,HX6373等 霍尔元件新春大促中~华芯质量霍尔元件，多年行业好评，质量好，价格优，长期与多加**企业合作。

霍尔线性器件线性霍尔开关是一种模拟信号输出的磁传感器，输出电压随输入的磁力密度线性变化。

线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确测量磁通密度的变化。在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。相反，增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。 我司拥有世界前列霍尔元件研发设计能力,与多家**科学研究院建立合作关系。东莞霍尔开关品牌企业

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如何去判断霍尔元件的感应距离？

霍尔的感应距离也和磁场的强度有直接的关系，一般霍尔的感应距离是在1CM左右。一般来说，要先选霍尔，选好霍尔之后再去配套磁铁，这样磁铁和霍尔的配套性更强。要是需要感应的距离比较远，那么就需要加大磁场，或选择高灵敏度的霍尔开关。感应距离的远近是需要磁场和霍尔共同搭配来使用的，也或者您的磁场特别强，可能灵敏度稍微低一些的霍尔开关也是可以感应到的，当然还是需要您在实际的电路中去测试的。 东莞霍尔开关品牌企业

无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年，是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试、销售为一体的的大型综合型企业。公司主要生产先进的霍尔效应集成传感器产品，与中国科学院电子研究所、苏州纳米研究所等**研究机构及企业建立了战略合作关系，具有较强的新产品、新技术开发能力。

华芯公司注重研发,公司拥有一批专业器件设计、集成电路设计和测试的工程师，并具有前列的开发测试平台。已经开发了RF LDMOS系列、RF VDMOS系列等多项具有自主知识产权、**中国集成电路水平的**产品。并与中国科学院微电子研究所共同研制开发了功率VDMOS、霍尔效应集成传感器等产品。

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